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氧不仅可以通过钝化铜表面活性位点而降低石墨烯的成核几率和密度，区中气安更重要的是，区中气安衬底表面氧的存在可以加速石墨烯的生长，并改变石墨烯的生长动力学行为。同时，通道这种转移过程中利用了高分子PMMA作为转移介质，通道且转移过程中容易造成石墨烯薄膜的破损和高分子介质的残留，严重影响了石墨烯薄膜的性能和表面平整度，导致器件性能低、易短路、大面积制备困难。

将覆盖有转移介质和石墨烯的金属基底放置于金属刻蚀剂中，直流装阶待金属被完全刻蚀后，转移介质和石墨烯复合结构漂浮在刻蚀液的表面上。6.总结近年来，背靠背工石墨烯的CVD法制备、物性研究和应用探索均取得了巨大进展。近日，程进成投产北京大学刘忠范院士和彭海琳教授在ChemicalReviews期刊上发表了综述文章BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene。

提高Cu表面的平整度的方法有很多，入电如机械、入电化学抛光，高温退火等，也可以通过氧气或三聚氰胺预处理，钝化金属衬底表面的催化活性中心，降低其催化裂解碳源的能力，进而实现对石墨烯成核密度的控制。因此，月建扩大晶畴的尺寸和控制晶畴的晶向一致并实现无缝拼接是增加单晶面积，减少晶界的关键要素。

主要从事纳米碳材料、大湾段明二维原子晶体材料和纳米化学研究，发表学术论文逾500篇，获授权中国发明专利30项。

根据AB堆垛双层石墨烯独特的电子结构特点可知，区中气安当在其垂直方向上加上偏压后，石墨烯的带隙可以被打开，且其带隙大小可以进行有效地调节。对于某些主要的数据库，通道比如Elsevier，有超过97%的论文能够在Sci-Hub的服务器上免费获取。

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